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懲りずに SI-3BG オーバードライブです

週遅れでGWを過ごしております。
昨晩はそろそろ電源でも作ろうかと思っていたのですが、なぜか SI-3BG で夜更かししております。
20110510_001.jpg

OM諸氏から顰蹙を買いそうですが、また過電圧実験です。
(SBM-20も写っておりますが、今回は上の3本のSI-3BGの実験です)

GM管のダイナミックレンジを下げる為には壁を薄くするなど、構造的な作り変えが必要なのでしょうが、とりあえず内部クエンチングが効き、微弱線源に反応する電圧を探り、そこでBGと線源密着の繰り返しをしてみました。
この電圧ですが、管によってまちまちで、500V台のものもありました。
アノード抵抗はそれぞれ4.7MΩ、検出部は100KΩで浮かせてTrのベースに繋いでいます。
その後4.7MΩと6800pFでパルス巾を稼いでC-MOSのシュミットへ繋ぎました。

数時間程度の実験ではそれらしく動いていますが、時間経過により不安感を感じます。
それはデバイスが壊れるとかの不安ではなく、感度が変化しているような印象です。
ということで、やはりオーバードライブの実用性は無いと思われます。

というころで、今後は素直に定格使用を目指しつつ、でもランニングテストもしてみようかと、、、。



一眠りしてからSBM-20・1号機を作り始めようと思います。

PS
一昨日にコメントを頂いておりました。レスは本日中に書かせてきただきます。
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Author:Dellbee
デルビィです(少年時代にハマったアマチュア無線局のコールサインを捩りました)。
子供の頃から電子電気・機械物弄りが好きで、今も自分の時間が取れた時は何か弄っています。

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