2011/05/10
懲りずに SI-3BG オーバードライブです
週遅れでGWを過ごしております。昨晩はそろそろ電源でも作ろうかと思っていたのですが、なぜか SI-3BG で夜更かししております。

OM諸氏から顰蹙を買いそうですが、また過電圧実験です。
(SBM-20も写っておりますが、今回は上の3本のSI-3BGの実験です)
GM管のダイナミックレンジを下げる為には壁を薄くするなど、構造的な作り変えが必要なのでしょうが、とりあえず内部クエンチングが効き、微弱線源に反応する電圧を探り、そこでBGと線源密着の繰り返しをしてみました。
この電圧ですが、管によってまちまちで、500V台のものもありました。
アノード抵抗はそれぞれ4.7MΩ、検出部は100KΩで浮かせてTrのベースに繋いでいます。
その後4.7MΩと6800pFでパルス巾を稼いでC-MOSのシュミットへ繋ぎました。
数時間程度の実験ではそれらしく動いていますが、時間経過により不安感を感じます。
それはデバイスが壊れるとかの不安ではなく、感度が変化しているような印象です。
ということで、やはりオーバードライブの実用性は無いと思われます。
というころで、今後は素直に定格使用を目指しつつ、でもランニングテストもしてみようかと、、、。
一眠りしてからSBM-20・1号機を作り始めようと思います。
PS
一昨日にコメントを頂いておりました。レスは本日中に書かせてきただきます。
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コメント
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2011/05/10 23:47 by 編集